RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs AMD R948G3206U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
AMD R948G3206U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
AMD R948G3206U2S 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3320
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link