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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
80
En 65% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
80
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1882
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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