RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3063
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link