RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
28
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3263
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link