RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
28
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
18.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3625
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link