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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3561
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
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