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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3168
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
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