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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3236
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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