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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3795
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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