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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2601
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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