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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3143
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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