RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3315
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link