RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
83
En 66% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
83
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1663
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link