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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3061
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Kingston XJ69DF-HYA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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