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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3316
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
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Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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