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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2437
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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