RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
67
En 58% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
67
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1876
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link