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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2510
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
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