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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2479
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
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