RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3001
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link