RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
18.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
4128
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link