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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3762
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
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Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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