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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2846
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
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