Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Puntuación global

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 28

En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16 12.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.5 7.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 8500

En 2.26 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1988 2925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns