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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2892
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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