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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
73
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
5.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
73
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
5.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1439
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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