RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2252
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link