RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3795
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Informar de un error
×
Bug description
Source link