RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3005
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link