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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2480
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
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