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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
46
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2368
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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