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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
58
En 52% menor latencia
Razones a tener en cuenta
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
58
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2025
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
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