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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3075
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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