RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2904
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link