RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
71
En 61% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1922
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link