RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
71
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1650
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link