Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Puntuación global

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 71

En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.5 6.4

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.6 12.7

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 8500

En 2.51 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1988 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns