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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En 35% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
8500
En 2.75 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
23400
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2794
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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