RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
62
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1586
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link