RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3756
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link