RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
64
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1948
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link