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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2245
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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