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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3562
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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