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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
38
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1865
2321
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
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