RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
41
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2087
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link