RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3232
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link