RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3692
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link