RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
35
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3222
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link