RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
35
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
21
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2807
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link