RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
35
En -9% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2243
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link