RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2755
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link